سامسونغ تطور رقائق درام 30نانومتر

شارك |

جهينة نيوز: نجحت شركة سامسونغ للإلكترونيات في تطوير رقاقة ذاكرة الدخول العشوائي الديناميكية من 30 نانومتر للمرة الأولى في العالم، وذكرت الشركة أن التقنية ستعمل على تحسين الإنتاجية بنسبة 60%، حيث أن كل رقاقة درام ستحتل مساحة صغيرة في خط الإنتاج، كما سيخفض المنتج الجديد استهلاك الطاقة الكهربائية إلى 85%، مقارنة برقائق درام 40 نانومتر الموجودة حالياً، يذكر أن نانومتر يساوي 1 من مليار جزء من المتر، ويقصد بالدرام شرائح الذاكرة لحفظ البيانات في محتوى إلكتروني منفصل ضمن دائرة واحدة.